公开(公告)号：CN105789040A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610004379.2

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·贾 ,  韩新海 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  金柏涵 ,  清原敦 ,  S·斯里卡拉

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。

公开(公告)号：CN103109352B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180044315.0

申请日：2011-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  J·A·朴 ,  清原敦 ,  朴贤秀 ,  金秉宪

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234

Abstract: 在单一等离子体增强化学气相沉积处理腔室中，将不同材料的层堆栈结构沉积至基板上，同时维持真空。将基板放到处理腔室中，并且第一处理气体用于在基板上形成第一层的第一材料。在第二处理气体用于在基板上形成第二层的第二材料之前，进行等离子体净化及气体净化。重复等离子体净化及气体净化，并且将第一与第二材料的附加层沉积至层堆栈结构上。

公开(公告)号：CN103109352A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180044315.0

申请日：2011-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  J·A·朴 ,  清原敦 ,  朴贤秀 ,  金秉宪

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234

Abstract: 在单一等离子体增强化学气相沉积处理腔室中，将不同材料的层堆栈结构沉积至基板上，同时维持真空。将基板放到处理腔室中，并且第一处理气体用于在基板上形成第一层的第一材料。在第二处理气体用于在基板上形成第二层的第二材料之前，进行等离子体净化及气体净化。重复等离子体净化及气体净化，并且将第一与第二材料的附加层沉积至层堆栈结构上。

公开(公告)号：CN113823558A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111107874.3

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·贾 ,  韩新海 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  金柏涵 ,  清原敦 ,  S·斯里卡拉

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。