公开(公告)号：CN113994023A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080043412.7

申请日：2020-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 胡良发 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  A·M·帕特尔 ,  A·A·哈贾 ,  V·卡尔塞卡尔 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  S·T·B·托卡奇丘 ,  B·S·权 ,  R·林杜尔派布恩 ,  K·D·李 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

Abstract: 本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。