公开(公告)号：CN105590881B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201510736705.4

申请日：2015-11-03

申请人： 应用材料公司

发明人： K·杰纳基拉曼 ,  A·B·马利克 ,  H·K·波内坎蒂 ,  M·斯里拉姆 ,  A·T·迪莫斯 ,  M·斯里尼瓦桑 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  D·R·杜波依斯

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。

公开(公告)号：CN103098174A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043422.1

申请日：2011-09-28

申请人： 应用材料公司

发明人： P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  D·R·杜波依斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  S·A·亨德里克森 ,  Y-W·李 ,  M-Y·石 ,  L-Q·夏 ,  D·R·威蒂

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274

摘要： 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。

公开(公告)号：CN105590881A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510736705.4

申请日：2015-11-03

申请人： 应用材料公司

发明人： K·杰纳基拉曼 ,  A·B·马利克 ,  H·K·波内坎蒂 ,  M·斯里拉姆 ,  A·T·迪莫斯 ,  M·斯里尼瓦桑 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  D·R·杜波依斯

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。

公开(公告)号：CN109075024B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780023308.X

申请日：2017-04-13

申请人： 应用材料公司

发明人： D·R·杜波依斯 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  祝基恩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

摘要： 描述了具有盖、基板支座及内挡环的处理腔室，该盖具有下表面，该基板支座具有面向该盖的上表面，该内挡环在该基板支座与该盖之间。描述了使用该处理腔室的方法。

公开(公告)号：CN107658249B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201710997020.4

申请日：2015-11-03

申请人： 应用材料公司

发明人： K·杰纳基拉曼 ,  A·B·马利克 ,  H·K·波内坎蒂 ,  M·斯里拉姆 ,  A·T·迪莫斯 ,  M·斯里尼瓦桑 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  D·R·杜波依斯

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。

公开(公告)号：CN109075024A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780023308.X

申请日：2017-04-13

申请人： 应用材料公司

发明人： D·R·杜波依斯 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  祝基恩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

摘要： 描述了具有盖、基板支座及内挡环的处理腔室，该盖具有下表面，该基板支座具有面向该盖的上表面，该内挡环在该基板支座与该盖之间。描述了使用该处理腔室的方法。

公开(公告)号：CN107658249A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710997020.4

申请日：2015-11-03

申请人： 应用材料公司

发明人： K·杰纳基拉曼 ,  A·B·马利克 ,  H·K·波内坎蒂 ,  M·斯里拉姆 ,  A·T·迪莫斯 ,  M·斯里尼瓦桑 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  D·R·杜波依斯

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67207 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67709 ,  H01L21/6776

摘要： 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。