公开(公告)号：CN103098174A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043422.1

申请日：2011-09-28

申请人： 应用材料公司

发明人： P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  D·R·杜波依斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  S·A·亨德里克森 ,  Y-W·李 ,  M-Y·石 ,  L-Q·夏 ,  D·R·威蒂

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274

摘要： 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。

公开(公告)号：CN102057479B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980122000.6

申请日：2009-05-22

申请人： 应用材料公司

发明人： D·W·何 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明实施例一般涉及一种固化介电材料以产生不具空隙与缝隙的特征的方法与设备，所述介电材料沉积于基材表面中的沟槽或间隙内。一个实施例中，介电材料在暴露于紫外光辐射时经蒸汽退火。一个实施例中，介电材料进一步于氮环境中经热退火。

公开(公告)号：CN103493185A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280017230.8

申请日：2012-04-05

申请人： 应用材料公司

发明人： A·班塞尔 ,  D·R·杜鲍斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  T·诺瓦克

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/54

摘要： 本发明的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。本发明的一个实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在基板支撑件上方，所述基板支撑件位于所述处理腔室的内部空间中；可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方；及UV单元，所述UV单元设置在所述内部空间外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件而引导通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。

公开(公告)号：CN104471688A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038399.6

申请日：2013-06-04

申请人： 应用材料公司

发明人： M·查布拉 ,  S·A·亨德里克森 ,  S·巴录佳 ,  清原勉 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯

IPC分类号： H01L21/3115 ,  H01L21/324

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B05D3/066 ,  C23C14/00 ,  C23C16/56 ,  G02B1/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/76825

摘要： 本发明的实施例提供在紫外线(UV)处理腔室内固化超低k介电薄膜的方法。在一个实施例中，该方法包括：在沉积腔室中在基板上沉积超低k介电层，以及在UV处理腔室中使该沉积的超低k介电层进行UV固化工艺。该方法包括：通过使氧气和净化气体以约1:50000至约1:100的流动速率流入该UV处理腔室来稳定该UV处理腔室。在该掺氧净化气体流动时，使该基板曝露于UV辐射，以固化该沉积的超低k介电层。本发明掺氧净化固化工艺提供了替代路径来建立超低k介电材料的硅-氧网络，从而加速交联效率，而且不会明显影响该沉积的超低k介电材料的膜性质。

公开(公告)号：CN102906304A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180026221.0

申请日：2011-06-03

申请人： 应用材料公司

发明人： Y-W·李 ,  V·佐泊考伏 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  D·R·威蒂

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

摘要： 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。