公开(公告)号：CN102906304A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180026221.0

申请日：2011-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-W·李 ,  V·佐泊考伏 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  D·R·威蒂

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

Abstract: 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：CN103430286A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011914.7

申请日：2012-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·E·萨托 ,  D·汤普森 ,  J·W·安西斯 ,  V·佐泊考伏 ,  S·文哈弗贝克 ,  R·古克 ,  M·马哈贾尼 ,  P·M·刘 ,  M·J·贝文

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312

Abstract: 描述了制备供后续薄膜形成工艺所用的基板的方法。亦描述制备供后续薄膜形成工艺所用的基板，且不将基板浸入水溶液中的方法。所描述的工艺包括将基板置入工艺腔室中，基板具有热氧化物表面，所述热氧化物表面基本上不具有活性的表面末端。将热氧化物表面暴露至低于基板温度下的饱和蒸汽压的水的分压下，使基本上不具有活性表面末端的致密的热氧化物转换为具有羟基表面末端的表面。此可在路易士碱（如氨）存在的情况下发生。

公开(公告)号：CN103280446A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310136257.5

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。