公开(公告)号：CN101243544B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680029299.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  H·哈那瓦 ,  B·加罗 ,  K·S·考林斯 ,  K·玛 ,  V·帕里哈 ,  D·詹宁斯 ,  A·J·马耀 ,  A·奥-巴亚缇 ,  A·恩盖耶

IPC: H01L21/027 ,  C23C16/26 ,  H01L21/033 ,  C23C16/507 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/151

Abstract: 本发明提供一种利用光学可写式掩膜处理半导体基材上的薄膜结构的方法，所述方法包括：将所述基材置放于反应器处理室中，在所述基材的表面上有一个目标层，依据预定的图案来蚀刻所述目标层；以及藉由下列方式于所述基材上沉积含碳硬掩膜层：(a)将含碳制程气体引入处理室中；(b)藉由将等离子射频电源耦合至一个再进入路径的外部的方式，在所述再进入路径中形成再进入环形射频等离子电流，其中所述再进入路径包括位于所述工件上方的制程区；以及(c)将射频等离子偏压电源或偏压电压耦合至所述工件。所述方法更包括：在所述含碳硬掩膜层中光刻地定义所述预定图案，并在有所述硬掩膜层的情况下蚀刻所述目标层。

公开(公告)号：CN103280446A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310136257.5

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。