公开(公告)号：CN104471688A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038399.6

申请日：2013-06-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·查布拉 ,  S·A·亨德里克森 ,  S·巴录佳 ,  清原勉 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B05D3/066 ,  C23C14/00 ,  C23C16/56 ,  G02B1/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/76825

Abstract: 本发明的实施例提供在紫外线(UV)处理腔室内固化超低k介电薄膜的方法。在一个实施例中，该方法包括：在沉积腔室中在基板上沉积超低k介电层，以及在UV处理腔室中使该沉积的超低k介电层进行UV固化工艺。该方法包括：通过使氧气和净化气体以约1:50000至约1:100的流动速率流入该UV处理腔室来稳定该UV处理腔室。在该掺氧净化气体流动时，使该基板曝露于UV辐射，以固化该沉积的超低k介电层。本发明掺氧净化固化工艺提供了替代路径来建立超低k介电材料的硅-氧网络，从而加速交联效率，而且不会明显影响该沉积的超低k介电材料的膜性质。

公开(公告)号：CN103210479A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180053880.3

申请日：2011-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·查布拉 ,  K·S·伊姆 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C8/10 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56

Abstract: 提供了一种改良的方法用于沉积超低介电常数薄膜堆栈。本发明实施例藉由降低超低介电薄膜堆栈中的氧化物黏着层厚度而将来自沉积超低介电常数薄膜堆栈的最初阶段的k(介电常数)影响最小化，因而将薄膜堆栈的厚度非均匀性降低至小于2%。所述改良的工艺以较低的沉积速率与较低的等离子体密度以及较高的总流速，在超低介电薄膜堆栈中沉积氧化物黏着层与块层，从而在薄膜沉积期间产生共沉积物质的较佳封装/排序，所述较佳封装/排序导致较高机械强度与较低孔隙率。