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公开(公告)号：CN101523357B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
申请人： 应用材料公司
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。
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公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
申请人： 应用材料公司
发明人： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要： 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号：CN103098558A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043322.9
申请日：2011-08-22
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/50
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32935
摘要： 本发明提供一种在等离子体处理期间藉由直接监视等离子体处理腔室的射频（RF）功率电极上的直流(DC)偏置电压以检测诸如电弧、微电弧或其它等离子体不稳定性的等离子体偏移的系统及方法。受监视的直流偏置电压随后通过连续多个模拟滤波器与放大器以提供等离子体偏移信号。该等离子体偏移信号与预设值比较，并且在该等离子体偏移信号超过该预设值的点处产生警报信号。该警报信号随后反馈至系统控制器中，使得操作者可收到警告和/或可使该处理系统停机。在某些实施例中，可藉由单一检测控制单元监视多个处理区域。
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公开(公告)号：CN102884610A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023388.1
申请日：2011-05-06
申请人： 应用材料公司
发明人： R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·R·杜鲍斯 , M·A·福多尔 , 周建华 , A·班塞尔 , M·阿优伯 , S·沙克 , P·赖利 , D·帕德希 , T·诺瓦克
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/6719 , C23C16/46 , C23C16/5096 , H01J37/32495 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32715
摘要： 本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。
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公开(公告)号：CN105977125B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610141134.4
申请日：2016-03-11
申请人： 应用材料公司
发明人： A·A·哈贾 , M·阿优伯 , R·博卡 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
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公开(公告)号：CN105977125A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610141134.4
申请日：2016-03-11
申请人： 应用材料公司
发明人： A·A·哈贾 , M·阿优伯 , R·博卡 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
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公开(公告)号：CN102714146A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080055187.5
申请日：2010-12-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/04 , C23C16/4401 , C23C16/45589 , C23C16/4585
摘要： 本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通过增加该遮蔽环的材料量，可减少边缘沉积及斜面覆盖率。另一种调整晶圆的边缘处的沉积的方法包括增加或减小该遮蔽环的内直径。形成该遮蔽环的材料亦可变化，以改变晶圆的边缘处的沉积量。
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公开(公告)号：CN205657041U
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201620190681.7
申请日：2016-03-11
申请人： 应用材料公司
发明人： A·A·哈贾 , M·阿优伯 , R·博卡 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要： 提供了一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
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