公开(公告)号：CN110573653B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201880025698.9

申请日：2018-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·博卡 ,  J·M·沙勒 ,  J·D·平森二世 ,  L·布恩卡特

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505 ,  C23C16/503 ,  C23C16/517

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。

公开(公告)号：CN110573653A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880025698.9

申请日：2018-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·博卡 ,  J·M·沙勒 ,  J·D·平森二世 ,  L·布恩卡特

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505 ,  C23C16/503 ,  C23C16/517

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。

公开(公告)号：CN105977125B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610141134.4

申请日：2016-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿优伯 ,  R·博卡 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。

公开(公告)号：CN105977125A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610141134.4

申请日：2016-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿优伯 ,  R·博卡 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。

公开(公告)号：CN205657041U

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201620190681.7

申请日：2016-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿优伯 ,  R·博卡 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357

Abstract: 提供了一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。