-
公开(公告)号：CN109791912A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060970.2
申请日：2017-09-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68 , C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/52 , G05B19/418 , G05B2219/45031 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/67103 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: 一种用于通过相对于处理腔室内的表面对基板支撑件进行定向来改进处理腔室中的处理结果的方法和装置。所述方法包括：使基板支撑件的支撑表面相对于喷头的输出表面定向在第一方向上，其中基板支撑表面的第一方向相对于输出表面不共面；以及将第一层的材料沉积在设置于支撑表面上的基板上，所述支撑表面定向在第一取向上。
-
公开(公告)号：CN110573653B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880025698.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/517
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。
-
公开(公告)号：CN110573653A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880025698.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/517
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。
-
公开(公告)号：CN107534000B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201680022918.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机械臂、转盘和至少一个加热模块，用于与批量处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和送出缓冲腔室的机械臂配置，以及合并由所述缓冲腔室和机械臂的群集工具。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107534000A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022918.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67754 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机械臂、转盘和至少一个加热模块，用于与批量处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和送出缓冲腔室的机械臂配置，以及合并由所述缓冲腔室和机械臂的群集工具。
-
公开(公告)号：CN117604506A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311057112.6
申请日：2017-09-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 公开了动态调平工艺加热器提升。一种用于通过相对于处理腔室内的表面对基板支撑件进行定向来改进处理腔室中的处理结果的方法和装置。所述方法包括：使基板支撑件的支撑表面相对于喷头的输出表面定向在第一方向上，其中基板支撑表面的第一方向相对于输出表面不共面；以及将第一层的材料沉积在设置于支撑表面上的基板上，所述支撑表面定向在第一取向上。
-
公开(公告)号：CN109791912B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780060970.2
申请日：2017-09-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 一种用于通过相对于处理腔室内的表面对基板支撑件进行定向来改进处理腔室中的处理结果的方法和装置。所述方法包括：使基板支撑件的支撑表面相对于喷头的输出表面定向在第一方向上，其中基板支撑表面的第一方向相对于输出表面不共面；以及将第一层的材料沉积在设置于支撑表面上的基板上，所述支撑表面定向在第一取向上。
-
公开(公告)号：CN206657802U
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201720103184.3
申请日：2016-04-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67754 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本实用新型描述了缓冲腔室和晶片传送机器人。本公开描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机器人、转盘和至少一个加热模块，用于与批处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和抽离所述缓冲腔室的机器人配置，以及并有所述缓冲腔室和机器人的群集工具。
-
公开(公告)号：CN205984905U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620335646.X
申请日：2016-04-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67754 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本公开描述了一种晶片传送机器人、具有其的缓冲腔室，以及群集工具。所述缓冲腔室包括：外壳，所述外壳具有盖子、基底和具有至少两个刻面的侧壁，所述刻面中的每一个包括大小被调节成允许晶片从其间穿过的狭缝阀；转盘，其包括具有至少两个晶片支持位置的晶片支撑件；至少一个加热模块，用以在晶片受所述晶片支撑件支持时加热所述晶片；在所述转盘下方的晶片传送机器人，所述晶片传送机器人用以在一个或多个区域与至少一个所述晶片支持位置之间移动晶片；以及电动机，所述电动机与所述转盘相连以指引所述转盘，以使得所述至少一个支持位置与所述刻面中的一个中的狭缝阀对准。所述缓冲腔室包括机器人、转盘和至少一个加热模块，用于与批处理腔室一起使用。所述群集工具具有缓冲腔室和机器人。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.018 seconds)
