Invention Publication
- Patent Title: 用于控制等离子体偏斜的远程等离子体源
- Patent Title (English): Remote plasma source for controlling plasma skew
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Application No.: CN201610141134.4Application Date: 2016-03-11
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Publication No.: CN105977125APublication Date: 2016-09-28
- Inventor: A·A·哈贾 , M·阿优伯 , R·博卡 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯
- Applicant: 应用材料公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 应用材料公司
- Current Assignee: 应用材料公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 黄嵩泉
- Priority: 62/133,160 2015.03.13 US
- Main IPC: H01J37/32
- IPC: H01J37/32

Abstract:
提供了一种等离子体源,所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块,所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积,所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域,所述第一区域关于多个垂直轴对称,所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点,所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。
Public/Granted literature
- CN105977125B 用于控制等离子体偏斜的远程等离子体源 Public/Granted day:2019-07-19
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