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公开(公告)号：CN106133873B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714146A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080055187.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/04 , C23C16/4401 , C23C16/45589 , C23C16/4585
Abstract: 本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通过增加该遮蔽环的材料量，可减少边缘沉积及斜面覆盖率。另一种调整晶圆的边缘处的沉积的方法包括增加或减小该遮蔽环的内直径。形成该遮蔽环的材料亦可变化，以改变晶圆的边缘处的沉积量。
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公开(公告)号：CN106133873A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN110211859B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN110211859A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN106057636A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610195296.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45523 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L27/11551 , H01L21/022 , H01L21/31144 , H01L27/11578 , H01L29/42364
Abstract: 本公开案的实现方式一般涉及结合高深宽比特征定义的薄膜及其形成方法。随着栅极高度增加，3D NAND栅极堆叠经受更高深宽比蚀刻。由于蚀刻技术的电流限制，竖直的蚀刻轮廓通常随着进入栅极堆叠中的深度增加而逐渐变尖细。本发明人已设想出通过新颖的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)膜沉积方法来补偿深沟槽中的蚀刻性能降级的独特的沉积方案。本发明人已经发现，通过使沉积态膜(例如，氮化硅)的各种性质(例如，折射率、膜的应力、膜中的掺杂剂浓度)分级，可通过补偿干法蚀刻速率和湿法蚀刻速率两者的变化来实现更均匀的蚀刻轮廓。
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