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公开(公告)号:CN104737274A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201380050065.0
申请日:2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor: N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布,以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布,以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面,以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行,及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号:CN1643370A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN03805920.7
申请日:2003-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/75
CPC classification number: G01N21/272 , B01F5/0206 , G01N21/51 , G01N21/532 , G01N21/59 , G01N21/82 , G01N2021/0325 , G01N2021/513 , G01N2021/755 , G01N2021/7783 , G01N2201/1222
Abstract: 本发明的目的在于提供使测定时间只为充分且必要,可快速测定的均化·反应完成的判定方法以及使用该方法的溶液浓度测定方法。在均化·反应完成的判定方法以及使用该方法的溶液浓度测定方法中,根据被测液与试剂液的混合液的光学特性来判定均化和反应完成。
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