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公开(公告)号：CN105917456A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580005173.5
申请日：2015-01-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: C23C16/52 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , H01J37/32917 , H01J37/32972
Abstract: 本公开的实施例使用反射测量实现膜属性(诸如厚度)的测量，而不考虑在基板或基层上的下层图案，因为生长的膜在任何波长上所造成的相移的量与所述基板或所述基层无关。所述方法的一个实施例包括从时间序列数据确定所述基板的属性。所述方法的另一个实施例包括通过分别在光源接通和断开的情况下作出两次连续测量来去除等离子体背景以便测量数据。另一个实施例包括通过监测等离子体标记或光学属性的相移来确定沉积开始时间。
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公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号：CN105810623B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201610027061.6
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述基板和/或掩模位置来修改所述基板相对于所述基板尺度的掩模的相对位置。在实施例中，对所述相对位置的所述调节在一次调节中进行。硬件和方法的特征涉及在基板处理系统被完全组装并可能在真空下时进行测量和调节的能力。
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公开(公告)号：CN105810623A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610027061.6
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述基板和/或掩模位置来修改所述基板相对于所述基板尺度的掩模的相对位置。在实施例中，对所述相对位置的所述调节在一次调节中进行。硬件和方法的特征涉及在基板处理系统被完全组装并可能在真空下时进行测量和调节的能力。
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