-
公开(公告)号：CN110622282B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201880031496.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
-
公开(公告)号：CN109690730A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780033498.3
申请日：2017-06-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 毕峰 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , P·康纳斯
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32568 , H01J37/32577
Abstract: 本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼-碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体，和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处，和将所述沉积的硼-碳层暴露于第二等离子体工艺，其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。
-
公开(公告)号：CN109690730B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201780033498.3
申请日：2017-06-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 毕峰 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , P·康纳斯
Abstract: 本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼‑碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体，和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处，和将所述沉积的硼‑碳层暴露于第二等离子体工艺，其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。
-
公开(公告)号：CN105810623B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201610027061.6
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述基板和/或掩模位置来修改所述基板相对于所述基板尺度的掩模的相对位置。在实施例中，对所述相对位置的所述调节在一次调节中进行。硬件和方法的特征涉及在基板处理系统被完全组装并可能在真空下时进行测量和调节的能力。
-
公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810623A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610027061.6
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述基板和/或掩模位置来修改所述基板相对于所述基板尺度的掩模的相对位置。在实施例中，对所述相对位置的所述调节在一次调节中进行。硬件和方法的特征涉及在基板处理系统被完全组装并可能在真空下时进行测量和调节的能力。
-
公开(公告)号：CN110622282A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031496.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
-
公开(公告)号：CN116978782A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310953875.2
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
-
公开(公告)号：CN108475610B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680074061.X
申请日：2016-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。
-
公开(公告)号：CN108475610A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074061.X
申请日：2016-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
