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公开(公告)号：CN110622282A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031496.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
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公开(公告)号：CN109690736B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780056070.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王家锐 , P·K·库尔施拉希萨 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·S·罗伊 , K·D·李
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。
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公开(公告)号：CN114303239A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080061205.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。
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公开(公告)号：CN110622282B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201880031496.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
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公开(公告)号：CN109690736A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056070.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王家锐 , P·K·库尔施拉希萨 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·S·罗伊 , K·D·李
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。
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公开(公告)号：CN116978782A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310953875.2
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
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