公开(公告)号：CN116978782A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310953875.2

申请日：2018-05-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·K·库尔施拉希萨 ,  王家锐 ,  K·D·李 ,  M·嘉德瑞 ,  X·闵 ,  P·康纳斯

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。

公开(公告)号：CN110622282B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201880031496.5

申请日：2018-05-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·K·库尔施拉希萨 ,  王家锐 ,  K·D·李 ,  M·嘉德瑞 ,  X·闵 ,  P·康纳斯

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。

公开(公告)号：CN111095522A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059904.8

申请日：2018-10-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·K·库尔施拉希萨 ,  Z·J·叶 ,  K·D·李 ,  D·H·李 ,  V·普拉巴卡尔 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  X·闵

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开的实施方式涉及一种用于在处理腔室中使用来制造半导体器件的改进的静电吸盘。在一个实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有限定在其中的处理容积；以及静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积内。所述静电吸盘包括：支撑表面，所述支撑表面上具有多个台面；一个或多个电极，所述一个或多个电极设置在所述静电吸盘内；以及陈化层，所述陈化层沉积在所述支撑表面上、在所述多个台面上方。所述支撑表面由含铝材料制成。所述一个或多个电极被配置为形成静电电荷以将衬底静电地固定到所述支撑表面。所述陈化层被配置为当衬底静电地固定到所述支撑表面时向所述衬底提供缓冲支撑。

公开(公告)号：CN110622282A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031496.5

申请日：2018-05-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·K·库尔施拉希萨 ,  王家锐 ,  K·D·李 ,  M·嘉德瑞 ,  X·闵 ,  P·康纳斯

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。