公开(公告)号：CN113994478A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080041820.9

申请日：2020-06-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金正倍 ,  任东吉 ,  崔寿永

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高，本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流，这样增加了TFT的响应速度。TFT进一步包括设置在沟道层堆叠物之上的栅极结构。栅极结构包括一个或多个栅极电极，并且因此TFT是顶部栅极(TG)、双栅极(DG)或底部栅极(BG)TFT。沟道层堆叠物包括具有不同迁移率的多个层。具有不同迁移率的层给予TFT各种益处。高迁移率层增加了TFT的响应速度。

公开(公告)号：CN113994458A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080044751.7

申请日：2020-06-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 元泰景 ,  崔寿永 ,  任东吉 ,  吴宗凯 ,  李永东 ,  桑杰·D·亚达夫 ,  金正倍 ,  王志远

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10

Abstract: 本公开的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管(TFT)的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及使用电感耦合等离子体高密度等离子体工艺在金属氧化物层之上沉积绝缘层以提高电子迁移率的方法。高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离子体密度。金属氧化物层用由N2O气体或N2O气体与氩气形成的电感耦合等离子体进行预处理。由SiH4气体和N2O气体形成的电感耦合等离子体用于沉积绝缘层，例如氧化硅层。氧化硅层为蚀刻停止层，或者氧化硅层为TFT结构的钝化层。本公开内容用于MO TFT结构和互补MO TFT和LTPS TFT结构。

公开(公告)号：CN117280468A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202180097884.5

申请日：2021-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任东吉 ,  崔寿永 ,  金正倍

IPC: H01L27/12

Abstract: 本文公开了一种包括驱动薄膜晶体管的器件。该驱动薄膜晶体管包括金属氧化物通道、与驱动金属氧化物通道接触的源电极、以及设置在该金属氧化物通道上方并物理连接至该驱动源电极的顶部栅电极。

公开(公告)号：CN114303239A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080061205.4

申请日：2020-06-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗德尼·顺隆·利马 ,  金正倍 ,  王家锐 ,  崔羿 ,  任东吉 ,  崔寿永

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。

公开(公告)号：CN114008743A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080044698.0

申请日：2020-06-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 元泰京 ,  崔寿永 ,  任东吉 ,  吴宗凯 ,  李英东 ,  桑杰·D·亚达夫 ,  金正倍 ,  王志远

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本文披露的实施方式大体涉及形成薄膜晶体管(TFT)的方法。所述方法包括形成一个或多个金属氧化物层和/或多晶硅层。使用具有电感耦合等离子体(ICP)的高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)工艺将栅极界面(GI)层沉积在一个或多个金属氧化物层和/或多晶硅层之上。使用HDP‑CVD层沉积GI层致使其上沉积的金属氧化物层的迁移率出乎意料地增大。