公开(公告)号：CN109690730A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780033498.3

申请日：2017-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 毕峰 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李 ,  P·康纳斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577

Abstract: 本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼-碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体，和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处，和将所述沉积的硼-碳层暴露于第二等离子体工艺，其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。

公开(公告)号：CN108475610B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201680074061.X

申请日：2016-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·哈 ,  P·康纳斯 ,  周建华 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  K·D·李 ,  段子青 ,  N·J·布莱特 ,  毕峰

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。

公开(公告)号：CN108475610A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074061.X

申请日：2016-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·哈 ,  P·康纳斯 ,  周建华 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  K·D·李 ,  段子青 ,  N·J·布莱特 ,  毕峰

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。

公开(公告)号：CN109690730B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780033498.3

申请日：2017-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 毕峰 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李 ,  P·康纳斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼‑碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体，和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处，和将所述沉积的硼‑碳层暴露于第二等离子体工艺，其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。