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公开(公告)号：CN103109357B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180044541.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴录佳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·T·迪莫斯 , T·诺瓦克 , J·周
IPC: H01L21/3105 , H01L21/263
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/482 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , Y10T137/0391
Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。
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公开(公告)号：CN101473062B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件以及多种制造所述物件的方法。在一个实施例中，本发明提供一种涂覆物件的铝表面的方法，其中所述物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供处理腔室；置放所述物件至所述处理腔室内；使第一气体流入所述处理腔室，其中所述第一气体包含碳源；使第二气体流入所述处理腔室，其中所述第二气体包含氮源；在所述处理腔室内形成等离子体；以及在所述铝表面上沉积涂覆材料。在一个实施例中，涂覆材料包括含不定形碳氮的层。在一个实施例中，所述物件包含喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN102498558A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080035135.1
申请日：2010-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·R·杜鲍斯 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·巴录佳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , L·亚普 , J·周 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/68728 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。
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公开(公告)号：CN104995726B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201480008665.5
申请日：2014-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , G01K1/08 , G01K1/14 , G01K7/02 , G01K7/16 , G01K13/00 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本公开的实施例大体上提供用于监测各个位置处的个或更多个制程参数(诸如基板支撑件的温度)的设备及方法。本公开的个实施例提供种用于测量处理腔室中的或更多个参数的传感器柱。传感器柱包括:用于接触正经测量的腔室部件的尖端;具有自第端及第二端延伸的内容积的保护管,其中该尖端附接于保护管的第端并在第端处密封保护管;及安置于尖端附近的传感器。在保护管的内容积中安放传感器的连接器,及在操作期间经由处理腔室的开口将尖端安置于处理腔室中。
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公开(公告)号：CN102498558B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201080035135.1
申请日：2010-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·R·杜鲍斯 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·巴录佳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , L·亚普 , J·周 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/68728 , H01L21/6875
Abstract: 本文提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。
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公开(公告)号：CN103403853A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009805.1
申请日：2012-02-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·周 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , H05B3/20
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , Y10T29/49083
Abstract: 本发明提供用于制造多区域底座加热器的系统、方法和装置。多区域底座加热器包括加热器板，所述加热器板包括：第一区域，所述第一区域包括第一加热元件与第一热电偶，所述第一热电偶用于感测所述第一区域的温度，其中所述第一区域设置在所述加热器板的中心处；及第二区域，所述第二区域包括第二加热元件与第一嵌入的热电偶，所述第一嵌入的热电偶用于感测所述第二区域的温度，其中所述第一嵌入的热电偶包括第一纵向块，所述第一纵向块从所述加热器板的中心延伸到所述第二区域，并且所述第一纵向块完全地被包围在所述加热器板内。本发明揭示许多额外的方面。
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公开(公告)号：CN104995726A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008665.5
申请日：2014-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , G01K1/08 , G01K1/14 , G01K7/02 , G01K7/16 , G01K13/00 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本公开的实施例大体上提供用于监测各个位置处的一个或更多个制程参数(诸如基板支撑件的温度)的设备及方法。本公开的一个实施例提供一种用于测量处理腔室中的一或更多个参数的传感器柱。传感器柱包括：用于接触正经测量的腔室部件的尖端；具有自第一端及第二端延伸的内容积的保护管，其中该尖端附接于保护管的第一端并在第一端处密封保护管；及安置于尖端附近的传感器。在保护管的内容积中安放传感器的连接器，及在操作期间经由处理腔室的开口将尖端安置于处理腔室中。
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公开(公告)号：CN104813440A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061308.0
申请日：2013-09-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/50 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01L21/6719
Abstract: 在此提供一种用于等离子体处理基板的设备。所述设备包含处理腔室、配置在所述处理腔室中的基板支撑件以及耦合至所述处理腔室的盖组件。所述盖组件包含耦合至电源的导电气体分配器(诸如面板)以及耦合至导电气体分配器的加热器。分区阻隔板耦合至所述导电气体分配器，且冷却气体帽盖件耦合至分区阻隔板。调谐电极可配置在所述导电气体分配器与腔室主体之间，用以调整等离子体的接地路径。第二调谐电极可耦合至基板支撑件，且偏压电极也可耦合至基板支撑件。
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公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号：CN103109357A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180044541.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴录佳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·T·迪莫斯 , T·诺瓦克 , J·周
IPC: H01L21/3105 , H01L21/263
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/482 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , Y10T137/0391
Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。
