公开(公告)号：CN105917456A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580005173.5

申请日：2015-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·布迪亚尔托 ,  T·诺瓦克 ,  T·伊甘 ,  S·斯塔里克

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C23C16/52 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32972

Abstract: 本公开的实施例使用反射测量实现膜属性(诸如厚度)的测量，而不考虑在基板或基层上的下层图案，因为生长的膜在任何波长上所造成的相移的量与所述基板或所述基层无关。所述方法的一个实施例包括从时间序列数据确定所述基板的属性。所述方法的另一个实施例包括通过分别在光源接通和断开的情况下作出两次连续测量来去除等离子体背景以便测量数据。另一个实施例包括通过监测等离子体标记或光学属性的相移来确定沉积开始时间。