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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号：CN106098527A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN106098527B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN206727059U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720076104.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32091
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN205900504U
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201620346066.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32091
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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