公开(公告)号：CN111286719A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010101748.6

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿尤伯 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。

公开(公告)号：CN106575609A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580039614.3

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿尤伯 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。

公开(公告)号：CN111286719B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202010101748.6

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿尤伯 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。

公开(公告)号：CN106575609B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201580039614.3

申请日：2015-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿尤伯 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。