公开(公告)号：CN116635977A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086356.X

申请日：2021-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  Y·林 ,  K·萧 ,  H·俞 ,  D·帕德希 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括使可包括含氮前驱物、含硅前驱物和载气的沉积气体流至基板处理腔室的基板处理区域中。含氮前驱物与含硅前驱物的流率比可大于或约为1:1。方法可进一步包括由沉积气体产生沉积等离子体，以在基板处理腔室中的基板上形成含硅和氮的层。可用处理等离子体处理含硅和氮的层，在无含硅前驱物的情况下由载气形成所述处理等离子体。处理等离子体中载气的流率可大于沉积等离子体中载气的流率。

公开(公告)号：CN110164763A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910115403.3

申请日：2019-02-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·林 ,  Q·周 ,  Y·张

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: 本文所述的实施方式涉及基板处理方法。所述方法包括在基板上形成经图案化的硬掩模材料，在基板的暴露区域上形成第一心轴结构，以及在基板上在硬掩模材料和第一心轴结构上方沉积间隙填充材料。去除第一心轴结构以形成包含硬掩模材料和间隙填充材料的第二心轴结构，并且使用第二心轴结构作为掩模来蚀刻基板以形成鳍片结构。