公开(公告)号：CN116635977A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086356.X

申请日：2021-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  Y·林 ,  K·萧 ,  H·俞 ,  D·帕德希 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括使可包括含氮前驱物、含硅前驱物和载气的沉积气体流至基板处理腔室的基板处理区域中。含氮前驱物与含硅前驱物的流率比可大于或约为1:1。方法可进一步包括由沉积气体产生沉积等离子体，以在基板处理腔室中的基板上形成含硅和氮的层。可用处理等离子体处理含硅和氮的层，在无含硅前驱物的情况下由载气形成所述处理等离子体。处理等离子体中载气的流率可大于沉积等离子体中载气的流率。

公开(公告)号：CN116547785A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081880.8

申请日：2021-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  A·A·哈贾 ,  夏立群 ,  K·萧 ,  胡良发 ,  Y·程

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。所述方法可包括在共振峰值的20％内调整可变电容器。可变电容器可与并入在基板支撑件内的电极耦合，基板安置在该基板支撑件上。所述方法可包括在基板上沉积材料。