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公开(公告)号:CN116547785A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202180081880.8
申请日:2021-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor: M·W·蒋 , A·A·哈贾 , 夏立群 , K·萧 , 胡良发 , Y·程
IPC: H01L21/311
Abstract: 示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。所述方法可包括在共振峰值的20%内调整可变电容器。可变电容器可与并入在基板支撑件内的电极耦合,基板安置在该基板支撑件上。所述方法可包括在基板上沉积材料。