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公开(公告)号：CN105378900B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201480040772.6
申请日：2014-07-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN105392913A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480041007.6
申请日：2014-07-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393
Abstract: 制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
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公开(公告)号：CN102089863B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200980128082.5
申请日：2009-07-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/4481 , C23C16/45512 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供与处理腔室一同使用的设备。在一方面，提供阻隔板，所述阻隔板包括环状板，所述环状板具有内部部分，所述内部部分具有第一厚度，且所述环状板具有孔洞图案，所述孔洞图案包括：中央部分；第一图案部分，所述第一图案部分共中心地设置在所述中央部分的周围，并且所述第一图案部分包括数个第一孔洞，所述第一孔洞具有第一孔洞数量；第二图案部分，所述第二图案部分共中心地设置在所述第一图案部分的周围，并且所述第二图案部分包括数个第二孔洞，所述第二孔洞具有第二孔洞数量，且所述第二孔洞数量大于所述第一孔洞数量；周围部分，所述周围部分共中心地设置在所述第二图案部分的周围。所述环状板更具有外部部分，所述外部部分包括设置在所述环状板的周边上的高起的共中心部分。在另一方面，提供第二、第三及第四种阻隔板。另外，提供在处理腔室中使用的混合设备及液体蒸发设备。
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公开(公告)号：CN110016645B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910305677.9
申请日：2014-07-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109972091A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910304795.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/22 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
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公开(公告)号：CN107978507A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711394369.5
申请日：2014-07-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN108140575A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061298.4
申请日：2016-06-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/06 , H01J37/32082 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32532 , H01J2237/3151 , H01J2237/3174 , H01J2237/334 , H01J2237/3348 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本公开关于操作等离子体反应器的方法，该等离子体反应器具有电子束等离子体源以独立调整电子束密度、等离子体离子能量及自由基总数。本公开进一步关于用于等离子体反应器的电子束源，该等离子体反应器具有RF驱动电极以产生电子束。
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公开(公告)号：CN107964650A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711374831.5
申请日：2014-07-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C23C14/48 , C23C14/54
Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
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公开(公告)号：CN110164973A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910116287.7
申请日：2019-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本文描述的实施方式涉及基板处理方法。所述方法包括：在基板上形成图案化硬掩模材料；在所述基板的暴露区域上形成第一心轴结构；和在所述基板上将填隙材料沉积在所述硬掩模材料和所述第一芯轴结构之上。移除所述第一心轴结构以暴露所述基板的第二区域，以形成包括了所述硬掩模材料的第二心轴结构，并且使用所述第二心轴结构作为掩模，将所述间隙填充材料和鳍片结构沉积在所述基板上。
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