公开(公告)号：CN110164973A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910116287.7

申请日：2019-02-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-C·林 ,  Q·周 ,  X·包 ,  Y·张

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本文描述的实施方式涉及基板处理方法。所述方法包括：在基板上形成图案化硬掩模材料；在所述基板的暴露区域上形成第一心轴结构；和在所述基板上将填隙材料沉积在所述硬掩模材料和所述第一芯轴结构之上。移除所述第一心轴结构以暴露所述基板的第二区域，以形成包括了所述硬掩模材料的第二心轴结构，并且使用所述第二心轴结构作为掩模，将所述间隙填充材料和鳍片结构沉积在所述基板上。

公开(公告)号：CN110164763A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910115403.3

申请日：2019-02-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·林 ,  Q·周 ,  Y·张

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: 本文所述的实施方式涉及基板处理方法。所述方法包括在基板上形成经图案化的硬掩模材料，在基板的暴露区域上形成第一心轴结构，以及在基板上在硬掩模材料和第一心轴结构上方沉积间隙填充材料。去除第一心轴结构以形成包含硬掩模材料和间隙填充材料的第二心轴结构，并且使用第二心轴结构作为掩模来蚀刻基板以形成鳍片结构。

公开(公告)号：CN106133883B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201580013053.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  C·丁 ,  Q·周 ,  S·D·耐马尼 ,  A·恩古耶

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。

公开(公告)号：CN104395990A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034656.9

申请日：2013-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·D·耐马尼 ,  J·T·彭德 ,  Q·周 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本文描述图案化低k介电膜的方法。在实例中，一种图案化低k介电膜的方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子体工艺来修正低k介电层的曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操作中，利用对光罩层及低k介电层的未修正部分有选择性的远程等离子体工艺，去除低k介电层的已修正部分。

公开(公告)号：CN104395990B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201380034656.9

申请日：2013-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·D·耐马尼 ,  J·T·彭德 ,  Q·周 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/311

Abstract: 本文描述图案化低k介电膜的方法。在实例中，一种图案化低k介电膜的方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子体工艺来修正低k介电层的曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操作中，利用对光罩层及低k介电层的未修正部分有选择性的远程等离子体工艺，去除低k介电层的已修正部分。

公开(公告)号：CN106133883A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580013053.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  C·丁 ,  Q·周 ,  S·D·耐马尼 ,  A·恩古耶

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。