公开(公告)号：CN104011837B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201280048477.6

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  S·耐马尼 ,  E·叶 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

公开(公告)号：CN105122424A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480021529.X

申请日：2014-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  A·恩古耶 ,  J·迪恩 ,  Y-S·林

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/85986 ,  Y10T137/86002

Abstract: 示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合。

公开(公告)号：CN104011837A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280048477.6

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  S·耐马尼 ,  E·叶 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

公开(公告)号：CN104395990B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201380034656.9

申请日：2013-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·D·耐马尼 ,  J·T·彭德 ,  Q·周 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/311

Abstract: 本文描述图案化低k介电膜的方法。在实例中，一种图案化低k介电膜的方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子体工艺来修正低k介电层的曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操作中，利用对光罩层及低k介电层的未修正部分有选择性的远程等离子体工艺，去除低k介电层的已修正部分。

公开(公告)号：CN106133883A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580013053.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  C·丁 ,  Q·周 ,  S·D·耐马尼 ,  A·恩古耶

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。

公开(公告)号：CN110289233B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201910594878.5

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  S·耐马尼 ,  E·叶 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  C23C16/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

公开(公告)号：CN106876264B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201710127682.6

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  S·耐马尼 ,  E·叶 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

公开(公告)号：CN106133883B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201580013053.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  C·丁 ,  Q·周 ,  S·D·耐马尼 ,  A·恩古耶

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。

公开(公告)号：CN104395990A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034656.9

申请日：2013-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·D·耐马尼 ,  J·T·彭德 ,  Q·周 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本文描述图案化低k介电膜的方法。在实例中，一种图案化低k介电膜的方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子体工艺来修正低k介电层的曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操作中，利用对光罩层及低k介电层的未修正部分有选择性的远程等离子体工艺，去除低k介电层的已修正部分。

公开(公告)号：CN110289233A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910594878.5

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  S·耐马尼 ,  E·叶 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  C23C16/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。