公开(公告)号：CN106133883B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201580013053.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  C·丁 ,  Q·周 ,  S·D·耐马尼 ,  A·恩古耶

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。

公开(公告)号：CN106133883A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580013053.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  C·丁 ,  Q·周 ,  S·D·耐马尼 ,  A·恩古耶

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。