公开(公告)号：CN105122424A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480021529.X

申请日：2014-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  A·恩古耶 ,  J·迪恩 ,  Y-S·林

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/85986 ,  Y10T137/86002

Abstract: 示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合。

公开(公告)号：CN105122424B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480021529.X

申请日：2014-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·G·别洛斯托茨基 ,  A·恩古耶 ,  J·迪恩 ,  Y-S·林

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/85986 ,  Y10T137/86002

Abstract: 示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合。