公开(公告)号：CN104221476A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380018935.6

申请日：2013-04-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·斯李维亚 ,  R·福韦尔 ,  H·塔瓦索里

IPC: H05H1/28 ,  H05H1/34

CPC classification number: H05H1/00 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明的实施例包括在等离子体处理过程中用以冷却支撑工件的基座的设备、系统和方法。基座的实施例包括：底座，该工件是将被配置于该底座上方；数个喷嘴，用以从供应充气增压部供应流体来撞击于该底座的表面上；以及数个返回管道，用以将供应的流体送回到返回充气增压部。将由该数个喷嘴供应的流体可以在该数个喷嘴和该底座之间的空间内被喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，或被喷射成从周围流体浮现的喷雾，以撞击于该底座的该表面上。

公开(公告)号：CN108140575A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061298.4

申请日：2016-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  K·S·柯林斯 ,  S·拉乌夫 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·D·卡达希 ,  H·塔瓦索里 ,  O·瑞吉尔曼 ,  Y·张

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3151 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 本公开关于操作等离子体反应器的方法，该等离子体反应器具有电子束等离子体源以独立调整电子束密度、等离子体离子能量及自由基总数。本公开进一步关于用于等离子体反应器的电子束源，该等离子体反应器具有RF驱动电极以产生电子束。