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公开(公告)号:CN115485807A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202180032818.X
申请日:2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 用于控制处理腔室中的部件的温度的方法与设备,所述处理腔室中的所述部件由等离子体或加热器加热并且由通过热交换器的冷却剂流冷却。例如,一种设备可以包括:包含相应冷却板的吸盘组件和/或等离子体源;比例式旁通阀,所述比例式旁通阀连接在相应冷却板与热交换器之间;温度传感器,所述温度传感器被配置成测量通过相应冷却板的出口通道的冷却剂的温度;以及控制器,所述控制器接收来自温度传感器测量的所测量的温度,以及响应于接收到所测量的温度,来控制通过比例式旁通阀的第一冷却剂输出管线和第二冷却剂输出管线的冷却剂的流速。
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公开(公告)号:CN104412717A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201380033928.3
申请日:2013-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor: A·恩盖耶 , K·S·柯林斯 , K·拉马斯瓦米 , S·拉乌夫 , J·D·卡达希 , D·A·布齐伯格 , A·阿加瓦尔 , J·A·肯尼 , L·多尔夫 , A·巴拉克利斯纳 , R·福韦尔
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: C23F1/08 , B01J12/002 , C23C14/28 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32733 , H01J37/32834 , H05H1/46
Abstract: 一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源及对称腔室排气,该等离子体源具有对称射频馈电,该腔室排气具有数个支柱穿过排气区域提供出入口至所局限的工作件支座。可包括用于自处理区域遮蔽支柱的空间效应的栅格。
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公开(公告)号:CN104412718A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201380035698.4
申请日:2013-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01J37/3211 , H01J37/32651 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源,该等离子体源具有对称RF馈送及围绕该对称RF馈送的对称RF遮罩。
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公开(公告)号:CN104221476A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201380018935.6
申请日:2013-04-17
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H05H1/00 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明的实施例包括在等离子体处理过程中用以冷却支撑工件的基座的设备、系统和方法。基座的实施例包括:底座,该工件是将被配置于该底座上方;数个喷嘴,用以从供应充气增压部供应流体来撞击于该底座的表面上;以及数个返回管道,用以将供应的流体送回到返回充气增压部。将由该数个喷嘴供应的流体可以在该数个喷嘴和该底座之间的空间内被喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流,或被喷射成从周围流体浮现的喷雾,以撞击于该底座的该表面上。
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