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公开(公告)号：CN104094418A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380008487.1
申请日：2013-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L31/02167 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了在硅基基板的表面上形成钝化薄膜堆叠的方法。在一个实施例中，钝化薄膜堆叠包括氮化硅层和氧化铝层，所述氧化铝层被布置在氮化硅层和硅基基板之间。氧化铝层被沉积以使得氧化铝层具有小于约17原子％的低氢(H)含量和大于约2.5 g/cm3的质量密度。氮化硅层被沉积在氧化铝层上，以使得氮化硅层具有小于约5原子％的低氢(H)含量，和大于约2.7 g/cm3的质量密度。在氧化铝层和氮化硅层中的降低量的氢含量防止气泡在所述层中和在钝化薄膜堆叠的界面处形成，所述气泡会引起薄膜堆叠起泡。
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公开(公告)号：CN104756232A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380056872.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45593
Abstract: 本文提供原子层沉积设备及方法，包括数个狭长气体端口及泵端口，该等泵端口与多个导管连通以从处理腔室传送待冷凝、储存及/或再循环的气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104170059A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013503.6
申请日：2013-03-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , C23C16/50 , C23C16/54
Abstract: 本文中描述使用线性等离子体源来控制膜沉积的方法和设备。该设备包括其中具有用以供气体流过的开口的喷洒头、设置于该喷洒头附近用以支撑一或多个基板在其上的输送器以及用以离子化该气体的电源。该离子化气体可以是用以在基板上沉积材料的来源气体。可以调整该材料在基板上的沉积轮廓，例如使用该设备中包括的气体成型装置。另外地或替代地，可以通过使用可致动的喷洒头来调整沉积轮廓。该方法包括使基板曝露于离子化气体，以在该基板上沉积膜，其中以气体成型装置影响该离子化气体，以在基板被输送到靠近该喷洒头时均匀地将膜沉积在该基板上。
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公开(公告)号：CN112074941A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980030082.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·P·穆格卡 , U·P·哈勒 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本公开内容涉及用于在基板处理期间进行温度感测和控制的方法和设备。处理期间难以直接测量的基板温度可通过检查沉积的膜性质或通过测量基板加热设备随时间的功率输出的变化来确定。在处理期间确定许多基板的温度，从而显示基板温度如何随时间变化，且接着通过机器学习技术来使用温度变化建立模型。所述模型用于调整加热设备设定点以用于将来的处理操作。
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公开(公告)号：CN103797156A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280042485.X
申请日：2012-09-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45504 , C23C16/45557 , C23C16/45563 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32779
Abstract: 描述用于处理基板的方法与设备。本发明的一个实施例提供用于形成薄膜的设备。设备包括腔室、等离子体源与至少一个气体注入源，腔室界定内部体积，等离子体源设置在内部体积中而至少一气体注入源设置成邻近内部体积中的等离子体源，其中至少一个气体注入源包括用于输送气体至内部体积的第一通道与第二通道，第一通道在第一压力或第一密度下输送气体而第二通道在第二压力或第二密度下输送气体，第一压力或第一密度不同于第二压力或第二密度。
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公开(公告)号：CN112074941B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980030082.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·P·穆格卡 , U·P·哈勒 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本公开内容涉及用于在基板处理期间进行温度感测和控制的方法和设备。处理期间难以直接测量的基板温度可通过检查沉积的膜性质或通过测量基板加热设备随时间的功率输出的变化来确定。在处理期间确定许多基板的温度，从而显示基板温度如何随时间变化，且接着通过机器学习技术来使用温度变化建立模型。所述模型用于调整加热设备设定点以用于将来的处理操作。
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公开(公告)号：CN104040732A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280065730.9
申请日：2012-12-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·波内坎蒂 , A·S·波利亚克 , J·莱厄罗伊斯 , M·S·考克斯 , C·T·莱恩 , E·P·哈蒙德四世 , H·P·穆格卡 , S·施莱弗 , W·布施贝克 , J·亨里希 , A·洛珀
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明大体提供一种用于形成太阳能电池装置的一或更多个区域的高产出基板处理系统。在处理系统的一个配置中，于包含在高产出基板处理系统内的一或更多个处理腔室内沉积并进一步处理一或更多个太阳能电池钝化层或介电层。处理腔室可为(例如)等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、低压化学气相沉积(LPCVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)或溅镀腔室、热处理腔室(例如，RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如，翻转(flip)腔室)及/或其他类似的处理腔室。
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