公开(公告)号：CN104011882A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201380004379.7

申请日：2013-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·P·斯图尔特 ,  P·库马尔 ,  K·威杰库恩 ,  L·张 ,  H·K·波内坎蒂

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明实施例是针对用于制造太阳能电池的工艺。具体而言，本发明实施例同时提供布置在太阳能电池基板的第一表面和第二表面上的共烧结(例如，热处理)金属层，以在一个步骤中完成金属化工艺。通过这样做，在太阳能电池基板的第一表面和第二表面上形成的两个金属层被共烧结(例如，同时地热处理)，从而消除制造复杂性、降低循环时间和生产太阳能电池装置的成本。本发明实施例也可提供一种方法和太阳能电池结构，所述方法和太阳能电池结构在基板的后表面上需要降低量的金属化膏以形成后表面接触结构，并且因此降低所形成的太阳能电池装置的成本。

公开(公告)号：CN104170059A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013503.6

申请日：2013-03-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·维尔莱卡尔 ,  M·S·考克斯 ,  H·P·穆格卡 ,  C·C·王 ,  L·张 ,  H·K·波内坎蒂 ,  M·P·斯图尔特 ,  E·P·哈蒙德四世 ,  A·S·波利亚克

IPC: H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54

Abstract: 本文中描述使用线性等离子体源来控制膜沉积的方法和设备。该设备包括其中具有用以供气体流过的开口的喷洒头、设置于该喷洒头附近用以支撑一或多个基板在其上的输送器以及用以离子化该气体的电源。该离子化气体可以是用以在基板上沉积材料的来源气体。可以调整该材料在基板上的沉积轮廓，例如使用该设备中包括的气体成型装置。另外地或替代地，可以通过使用可致动的喷洒头来调整沉积轮廓。该方法包括使基板曝露于离子化气体，以在该基板上沉积膜，其中以气体成型装置影响该离子化气体，以在基板被输送到靠近该喷洒头时均匀地将膜沉积在该基板上。

公开(公告)号：CN103887365A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713926.0

申请日：2013-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·P·斯图尔特 ,  D·K·科恰尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/1868

Abstract: 本发明的实施例包括一种太阳能电池和形成太阳能电池的方法。具体地，所述方法可用于在太阳能电池基板上形成具有期望的功能和光学性质的钝化/抗反射层。在一个实施例中，一种在太阳能电池基板上形成抗反射层的方法包括以下步骤：使第一处理气体混合物流动到处理腔室中，其中所述第一处理气体混合物至少包括含硅气体和含氮气体，其中供应到第一处理气体混合物中的含硅气体与含氮气体的流量比率被控制在大约2:1到大约1:5之间；在存在第一处理气体混合物的情况下，施加源RF功率到所述处理腔室；将工艺压力控制在低于100mTorr；以及在基板上形成含氮化硅的层。

公开(公告)号：CN103890978A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052371.3

申请日：2012-10-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·P·斯图尔特 ,  J·L·富兰克林

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的实施例提及高效率太阳能电池的形成，高效率太阳能电池的形成利用激光图案化工艺以在太阳能电池基板的表面上的钝化层中形成开口。在一个实施例中，在太阳能电池基板上的钝化层中形成开口的方法包括：在基板的背面上形成钝化层，基板具有在基板的背面上的第一类型的掺杂原子以及在基板的正面上的第二类型的掺杂原子；及提供一系列激光脉冲至钝化层达约500皮秒与约80奈秒之间以在钝化层中形成开口。

公开(公告)号：CN203631496U

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201190000982.4

申请日：2011-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·P·斯图尔特

IPC: H01L21/67 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C23C8/42 ,  C23C8/62 ,  H01L21/67173 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本实用新型的实施例涉及一种线内处理系统。向硅基板涂覆掺杂剂材料。之后使用激光来驱使来自掺杂剂材料的掺杂剂原子深入基板，从而形成高度掺杂的区域。随后对基板进行热处理，以在基板的剩余场区形成轻掺杂发射极区与浅p-n结。之后将导电触点沉积在高掺杂区上。所得场区具有高阻抗发射极区，所述高阻抗发射极区可吸收最少的光，使得有增量的光到达p-n结以转化成为电流。所得太阳能电池的高掺杂区具有非常低的电阻，以在发射极区与导电触点之间提供高传导路径。