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公开(公告)号：CN104040732A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280065730.9
申请日：2012-12-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·波内坎蒂 , A·S·波利亚克 , J·莱厄罗伊斯 , M·S·考克斯 , C·T·莱恩 , E·P·哈蒙德四世 , H·P·穆格卡 , S·施莱弗 , W·布施贝克 , J·亨里希 , A·洛珀
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明大体提供一种用于形成太阳能电池装置的一或更多个区域的高产出基板处理系统。在处理系统的一个配置中，于包含在高产出基板处理系统内的一或更多个处理腔室内沉积并进一步处理一或更多个太阳能电池钝化层或介电层。处理腔室可为(例如)等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、低压化学气相沉积(LPCVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)或溅镀腔室、热处理腔室(例如，RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如，翻转(flip)腔室)及/或其他类似的处理腔室。
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公开(公告)号：CN107464774A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710413475.7
申请日：2017-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , A·A·哈贾 , E·P·哈蒙德四世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , C·A·拉玛林格姆 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 段仁官 , 周建华 , J·J·斯特拉列
IPC: H01L21/683 , C04B35/581 , C04B35/622
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , H01L2221/683
Abstract: 本公开涉及具有用于实现最佳薄膜沉积或蚀刻工艺的性质的静电卡盘。公开一种受热支撑组件，所述受热支撑组件包括：主体，所述主体包含氧化镁掺杂的氮化铝，具有在约600摄氏度下约1×1010Ω-cm的体积电阻率；电极，所述电极嵌入在所述主体中；以及加热器网，所述加热器网嵌入在所述主体中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314039B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201780024022.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。
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公开(公告)号：CN102822383B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201180009500.6
申请日：2011-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244
Abstract: 本发明实施例大致涉及用于减少基板处理腔室中的电弧与寄生等离子体的设备。所述设备大致包括具有基板支撑件、背板与喷头的处理腔室，所述基板支撑件、背板与喷头配置在所述处理腔室中。喷头悬置件将背板电耦接至喷头。导电托架耦接至背板并与喷头分隔。导电托架可包括平板、下部、上部与垂直延伸部。导电托架接触电绝缘体。
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公开(公告)号：CN109314039A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780024022.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。
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公开(公告)号：CN104170059A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013503.6
申请日：2013-03-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , C23C16/50 , C23C16/54
Abstract: 本文中描述使用线性等离子体源来控制膜沉积的方法和设备。该设备包括其中具有用以供气体流过的开口的喷洒头、设置于该喷洒头附近用以支撑一或多个基板在其上的输送器以及用以离子化该气体的电源。该离子化气体可以是用以在基板上沉积材料的来源气体。可以调整该材料在基板上的沉积轮廓，例如使用该设备中包括的气体成型装置。另外地或替代地，可以通过使用可致动的喷洒头来调整沉积轮廓。该方法包括使基板曝露于离子化气体，以在该基板上沉积膜，其中以气体成型装置影响该离子化气体，以在基板被输送到靠近该喷洒头时均匀地将膜沉积在该基板上。
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公开(公告)号：CN102822383A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180009500.6
申请日：2011-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244
Abstract: 本发明实施例大致涉及用于减少基板处理腔室中的电弧与寄生等离子体的设备。所述设备大致包括具有基板支撑件、背板与喷头的处理腔室，所述基板支撑件、背板与喷头配置在所述处理腔室中。喷头悬置件将背板电耦接至喷头。导电托架耦接至背板并与喷头分隔。导电托架可包括平板、下部、上部与垂直延伸部。导电托架接触电绝缘体。
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