公开(公告)号：CN104040732A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280065730.9

申请日：2012-12-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·K·波内坎蒂 ,  A·S·波利亚克 ,  J·莱厄罗伊斯 ,  M·S·考克斯 ,  C·T·莱恩 ,  E·P·哈蒙德四世 ,  H·P·穆格卡 ,  S·施莱弗 ,  W·布施贝克 ,  J·亨里希 ,  A·洛珀

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

Abstract: 本发明大体提供一种用于形成太阳能电池装置的一或更多个区域的高产出基板处理系统。在处理系统的一个配置中，于包含在高产出基板处理系统内的一或更多个处理腔室内沉积并进一步处理一或更多个太阳能电池钝化层或介电层。处理腔室可为(例如)等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、低压化学气相沉积(LPCVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)或溅镀腔室、热处理腔室(例如，RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如，翻转(flip)腔室)及/或其他类似的处理腔室。