公开(公告)号：CN114342060A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062434.8

申请日：2020-07-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李建 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  Z·J·叶 ,  D·R·B·拉杰 ,  S·斯里瓦斯塔瓦 ,  韩新海 ,  D·帕德希 ,  胡可嵩 ,  C-Y·王

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。所述组件可包括与静电吸盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的加热器。所述组件还可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电吸盘主体内的电极。基板支撑组件可由在大于500℃或约为500℃的温度下和在大于600V或约为600V的电压下通过静电吸盘主体的小于4mA或约为4mA的泄漏电流来表征。

公开(公告)号：CN114375486A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202080064017.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·阿迪帕利 ,  陈玥 ,  蒋志钧 ,  S·斯里瓦斯塔瓦 ,  N·S·乔拉普尔 ,  D·R·B·拉杰 ,  G·奇可卡诺夫 ,  Q·马 ,  A·凯什里 ,  韩新海 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  D·帕德希

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。

公开(公告)号：CN119318010A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380045018.0

申请日：2023-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·B·拉杰 ,  C·冷 ,  S·A·阿拉姆 ,  李天洋

IPC: H01L21/67

Abstract: 用于半导体处理系统的示例性流体输送组件可包括液体输送源。所述组件可包括加热器，所述加热器与所述液体输送源的出口流体耦接。所述组件可包括液体流量控制器，所述液体流量控制器与所述加热器下游的所述液体输送源流体耦接。所述组件可包括液体蒸发器，所述液体蒸发器与所述液体流量控制器的下游端流体耦接。所述组件可包括腔室输送管线，所述腔室输送管线与所述液体蒸发器的输出耦接。

公开(公告)号：CN119948612A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380069046.6

申请日：2023-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·B·拉杰 ,  L·I·克里武莉娜 ,  B·K·H·R·高达 ,  C·冷 ,  S·A·阿拉姆 ,  U·P·哈勒 ,  R·卡萨诺瓦 ,  R·T·唐尼 ,  P·斯坦迪什

IPC: H01L21/67

Abstract: 示例性半导体处理系统可包括与数个处理腔室耦接的气体源。气体源可包括控制器。每个腔室可包括具有前级管线和泵的排气组件。系统可包括与每个泵耦接的至少一个减排系统。系统可包括在每个泵与减排系统之间延伸的多个排气管线。系统可包括与每个排气管线耦接的稀释气体源。系统可包括在稀释气体源与每个排气管线之间耦接的质量流量控制器。系统可包括同泵与减排系统之间的每个排气管线耦接的温度传感器。温度传感器可与气体源的控制器通信地耦接，所述控制器可基于来自温度传感器的测量来控制气体到腔室的流量。

公开(公告)号：CN114375486B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202080064017.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·阿迪帕利 ,  陈玥 ,  蒋志钧 ,  S·斯里瓦斯塔瓦 ,  N·S·乔拉普尔 ,  D·R·B·拉杰 ,  G·奇可卡诺夫 ,  Q·马 ,  A·凯什里 ,  韩新海 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  D·帕德希

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。

公开(公告)号：CN119096006A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036181.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·B·拉杰 ,  K·加里基帕蒂 ,  K·R·朗厄兰 ,  S·A·阿拉姆

IPC: C23C16/455

Abstract: 示例性模块化气体区块可包括具有入口端和出口端的主体。主体可限定沿着主体的长度的第一气体路径的部分，并且可限定沿着主体的宽度的第二气体路径。第一气体路径可包括被限定在主体内的通道段。入口端可限定与第一气体路径耦合的气体入口。主体可限定与第一气体路径耦合的第一流体端口。第一流体端口中的流体端口可与气体入口耦合。第一流体端口可经由相应的通道段彼此耦合。上表面可限定横向流体端口，所述横向流体端口沿着宽度与第一流体端口间隔开，并且经由第二气体路径与第一流体端口耦合。