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公开(公告)号：CN114901859A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091198.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/458 , H01L21/033
Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。
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公开(公告)号：CN114830299B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080088499.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 闵笑全 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·李
IPC: H01L21/033 , C23C16/02 , C23C16/505 , C23C16/44
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱物的等离子体。等离子体中的氢可限于含碳前驱物中包括的氢。方法可包括在起始层上形成含钨硬掩模层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114846595A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088501.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , G01N21/3504 , G01N21/31
Abstract: 一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控制器，用于控制流动通过第一子线路的第一气体。第二子线路可以包括：第二流量控制器，用于控制流动通过第二子线路的第一气体。可以将递送控制器配置为基于前驱物的测量到的浓度来控制第一流量控制器和第二流量控制器，以将第一气体与第二气体的第一混合物和第一气体与第二气体的第二混合物分别递送到第一半导体处理腔室和第二半导体处理腔室中。
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公开(公告)号：CN107408494B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201680017309.9
申请日：2016-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本公开内容的多个方面涉及在图案化的基板上形成平面非晶碳层的方法。根据本文所概述的实施例形成的层可通过以下方式来提高制造良率：无论下层拓扑或化学计量变化如何都使非晶碳层的顶表面更平面。在实施例中，非晶碳层可包含碳和氢，可由碳和氢组成，或者可包含碳、氢和氮或由碳、氢和氮组成。本文中所述的方法可以包括：以相对于烃的相对高的比率将含氢前体引入基板处理区域中，并且同时将局部等离子体功率电容性地施加至基板处理区域以形成平面层。替代地，氢:碳的原子流比可在开始时为低，并且在形成非晶碳层期间离散地或平滑地增加。
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公开(公告)号：CN107408494A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680017309.9
申请日：2016-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/02115 , H01L21/02118 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31133
Abstract: 本公开内容的多个方面涉及在图案化的基板上形成平面非晶碳层的方法。根据本文所概述的实施例形成的层可通过以下方式来提高制造良率：无论下层拓扑或化学计量变化如何都使非晶碳层的顶表面更平面。在实施例中，非晶碳层可包含碳和氢，可由碳和氢组成，或者可包含碳、氢和氮或由碳、氢和氮组成。本文中所述的方法可以包括：以相对于烃的相对高的比率将含氢前体引入基板处理区域中，并且同时将局部等离子体功率电容性地施加至基板处理区域以形成平面层。替代地，氢:碳的原子流比可在开始时为低，并且在形成非晶碳层期间离散地或平滑地增加。
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公开(公告)号：CN114830299A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088499.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 闵笑全 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·李
IPC: H01L21/033 , C23C16/02 , C23C16/505 , C23C16/44
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱物的等离子体。等离子体中的氢可限于含碳前驱物中包括的氢。方法可包括在起始层上形成含钨硬掩模层。
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公开(公告)号：CN114901859B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080091198.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/458 , H01L21/033
Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。
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