公开(公告)号：CN116848619A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013270.9

申请日：2022-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王佳良 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/285

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含碳前驱物与含氢前驱物递送至半导体处理腔室的处理区。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区内产生含碳前驱物与含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括在定位在半导体处理腔室的处理区内的基板上形成石墨烯层。基板可维持在低于或约600℃的温度。所述方法可包括在以含氢前驱物维持等离子体的同时，停止含碳前驱物的流动。

公开(公告)号：CN119234292A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041517.2

申请日：2023-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  R·纳拉亚南 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  王佳良

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种处理基板的方法，包括：使包括烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入处理容积中，所述处理容积具有定位在基板支撑件上的基板。所述处理容积保持在约0.5毫托至约10毫托的压力。所述方法包括：通过将第一RF偏压施加至所述基板支撑件，在所述基板处产生等离子体，以在所述基板上沉积掺杂类金刚石碳膜。所述掺杂类金刚石碳膜包括约5原子百分含量至约25原子百分含量的掺杂剂和第一应力性质。所述方法包括：在约220℃至约450℃下退火所述掺杂类金刚石碳膜，以形成经退火膜。所述经退火膜包括第二应力性质。所述第二应力性质的绝对值小于所述第一应力性质或在所述第一应力性质的10％以内。