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公开(公告)号：CN112105759A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031329.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。
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公开(公告)号：CN112105759B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201980031329.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。
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公开(公告)号：CN109716497B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN112640078A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057950.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 基板处理系统包括处理腔室，所述处理腔室包括定位在所述处理腔室中的基板支撑件。所述基板处理系统包括阀系统，所述阀系统流体耦接到所述处理腔室，并且被配置成控制进入所述处理腔室中的气体的流量。所述阀系统包括主流动线路和第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述阀系统包括第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109716497A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN119082711A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411193850.8
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , C23C16/458 , H01J37/32 , H01R4/66
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN112088426B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201980030846.0
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN112640078B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201980057950.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 基板处理系统包括处理腔室，所述处理腔室包括定位在所述处理腔室中的基板支撑件。所述基板处理系统包括阀系统，所述阀系统流体耦接到所述处理腔室，并且被配置成控制进入所述处理腔室中的气体的流量。所述阀系统包括主流动线路和第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述阀系统包括第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。
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公开(公告)号：CN112088426A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980030846.0
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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