-
公开(公告)号：CN105714269B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510964982.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107548515A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201680023407.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
-
公开(公告)号：CN111218666B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010128359.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
-
公开(公告)号：CN107548515B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201680023407.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
-
公开(公告)号：CN111218666A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010128359.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
-
公开(公告)号：CN105714269A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510964982.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.022 seconds)
