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公开(公告)号:CN116457915A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202180077567.7
申请日:2021-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor: E·P·哈蒙德
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于处理腔室中的多电极阴极的射频(RF)功率电路,可包括RF源和导电耦合至RF源的(多个)电感元件。第一电感元件可感应耦合至(多个)电感元件,并且第一电感元件可被配置为接收源自RF源的RF功率的第一部分,并且为第一基座电极提供RF功率的第一部分。第二电感元件还可感应耦合至(多个)电感元件,并且第二电感元件可被配置为通过(多个)电感元件接收源自RF源的RF功率的第二部分,并且为第二基座电极提供RF功率的第二部分。
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公开(公告)号:CN117616550A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202280047584.0
申请日:2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 黎坚 , E·P·哈蒙德 , V·斯里尼瓦萨穆尔西 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体,所述基板支撑表面限定基板座。基板支撑组件可以包括与静电卡盘主体耦接的支撑柄。基板支撑组件可以包括嵌入在静电卡盘主体内的上部加热器。上部加热器可包括中心加热器区,以及与中心加热器区同心的一个或多个环形加热器区。基板支撑组件可以包括在上部加热器下方的位置处嵌入在静电卡盘主体内的下部加热器。下部加热器可以包括多个弧形加热器区域。
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公开(公告)号:CN117546266A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202280044036.2
申请日:2022-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于处理半导体基板的半导体处理腔室可包括用于支撑基板的基座,其具有加热器区域和被配置为将射频(RF)信号输送至等离子体的金属丝网。腔室也可包括将电流输送至加热器区域的加热器区域控制件,以及在加热器区域控制件与加热器区域之间的滤波器电路。滤波器电路可包括在来自加热器区域的引线上的电感器,以及具有磁耦接至引线电感器的谐振电感器的谐振电路。谐振电路可产生谐振峰值,所述谐振峰值对从来自加热器区域的引线输送至金属丝网的RF信号进行滤波以防止RF信号到达加热器区域控制件。
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公开(公告)号:CN116490963A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202180072290.9
申请日:2021-09-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor: Z·J·叶 , D·R·B·拉吉 , R·豪莱德 , A·凯什里 , S·G·卡马斯 , D·A·迪兹尔诺 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·斯里瓦斯塔瓦 , K·R·恩斯洛 , 韩新海 , D·帕德希 , E·P·哈蒙德
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括处理腔室及至少部分设置在处理腔室内的静电吸盘。静电吸盘可包括至少一个电极和加热器。一种半导体处理系统可包括电源,向电极提供信号来提供静电力,以将基板紧固至静电吸盘。所述系统还可包括滤波器,所述滤波器通信耦合在电源与电极之间。所述滤波器被配置为在维持基板上的静电力的同时移除因操作加热器而引入吸附信号中的噪声。滤波器可包括有源电路系统、无源电路系统或两者,并且可包括调整电路以设置滤波器的增益,使得来自滤波器的输出信号电平对应于用于滤波器的输入信号电平。
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