公开(公告)号：CN101772589A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880101675.8

申请日：2008-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  赛恩·撒奇 ,  吉姆·德姆普斯特 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  段仁官 ,  托马斯·格瑞斯 ,  贺小明 ,  元洁

IPC: C23C16/44 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。

公开(公告)号：CN103436836A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310323450.X

申请日：2008-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  赛恩·撒奇 ,  吉姆·德姆普斯特 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  段仁官 ,  托马斯·格瑞斯 ,  贺小明 ,  元洁

IPC: C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  C23C16/44 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明，公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。

公开(公告)号：CN101772589B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200880101675.8

申请日：2008-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  赛恩·撒奇 ,  吉姆·德姆普斯特 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  段仁官 ,  托马斯·格瑞斯 ,  贺小明 ,  元洁

IPC: C23C16/44 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的机率。