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公开(公告)号：CN102732857A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210163630.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN101903558B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880122060.3
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/16 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN102084020A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980106482.6
申请日：2009-02-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
Abstract: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理，常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时，此问题更显严重。实验资料显示，在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时，当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时，可提供一种低孔隙率的涂层，其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
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公开(公告)号：CN102732857B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210163630.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN103436836A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310323450.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明，公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101772589B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200880101675.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的机率。
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公开(公告)号：CN102084020B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980106482.6
申请日：2009-02-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
Abstract: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理，常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时，此问题更显严重。实验资料显示，在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时，当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时，可提供一种低孔隙率的涂层，其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
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公开(公告)号：CN102770945A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180006807.0
申请日：2011-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18
Abstract: 在此描述的是根据实施例的示范性方法及设备，该方法及设备用于制造气体分配喷洒头组件。在实施例中，方法包括提供气体分配板，该气体分配板具有第一组通孔，第一组通孔用于将处理气体输送进入半导体处理腔室。第一组通孔位于板(例如铝基板)的背侧上。该方法包括将涂覆材料(例如氧化钇系材料)喷涂(例如等离子体喷涂)至气体分配板的已清洁表面上。该方法包括由该表面移除(例如表面研磨)涂覆材料的一部分，以减少涂覆材料的厚度。该方法包括在涂覆材料中形成(例如UV激光钻孔、机械加工)第二组通孔，而使得第二组通孔与第一组通孔对准。
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公开(公告)号：CN101903558A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122060.3
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/16 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN101772589A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101675.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。
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