公开(公告)号：CN119816914A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202280099796.3

申请日：2022-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭岳 ,  K·拉马斯瓦米 ,  N·J·布莱特 ,  杨扬 ,  A·N·M·W·阿扎德

IPC: H01J37/32

Abstract: 实施例包含一种在等离子体处理腔室中处理基板的方法，包含：由RF发生器通过RF匹配器向电极组件传输RF信号，同时RF匹配器被设置为第一匹配点；以及由波形发生器将电压波形传输到电极组件，同时将RF信号传输到电极组件。所述方法包含：由RF匹配器接收来自RF发生器或波形发生器的同步信号；由RF匹配器的输出传感器在不同时间段内并且在不同延迟之后测量等离子体处理系统的不同组阻抗相关数据；由RF匹配器基于不同组阻抗相关数据来计算组合阻抗参数；以及基于组合阻抗参数来调整RF匹配器中的匹配参数，以实现第二匹配点。

公开(公告)号：CN119032413A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034496.1

申请日：2023-04-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨扬 ,  F·斯李维亚 ,  K·拉马斯瓦米 ,  郭岳 ,  A·N·M·W·阿扎德 ,  I·尤瑟夫

IPC: H01J37/32

Abstract: 装置向腔室的处理容积提供等离子体。所述装置可包括多个等离子体源，每个等离子体源至少具有介电管入口和气体入口，所述介电管入口至少部分地由被配置为连接到RF功率以产生等离子体的导电管包围，所述气体入口定位成与所述介电管入口相对，所述气体入口用于处理气体和介电管，所述介电管直接连接到所述多个等离子体源中的每一者，其中所述介电管被配置为至少部分地包含由多个等离子体源产生的等离子体以及经由所述介电管中的孔释放在所述等离子体中产生的自由基。

公开(公告)号：CN119343741A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380045602.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·N·M·W·阿扎德 ,  K·拉马斯瓦米 ,  杨扬 ,  郭岳 ,  F·斯李维亚

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文中提供的实施例通常包括设备，例如等离子体处理系统，以及用于在处理腔室中基板的等离子体处理的方法。一些实施例涉及波形产生器。所述波形产生器通常包括第一电压级，其具有：第一电压源；第一开关；接地参考点；具有第一变压比的变压器，所述第一变压器包含：耦接至所述第一电压源及所述接地参考点的初级绕组；以及具有第一端部和第二端部的次级绕组，其中所述第一端部耦接至所述接地参考点，并且所述第二端部被配置成通过共同节点耦接至负载；以及与所述第一变压器的所述初级绕组并联耦接的第一二极管。所述波形产生器通常还包括通过所述共同节点耦接至负载的一个或多个附加电压级。