公开(公告)号：CN103415914A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011118.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明描述了用于在图案化衬底上形成高密度间隙填充氧化硅的工艺。所述工艺增加尤其在窄沟槽中的间隙填充氧化硅的密度。所述密度还可在宽沟槽和凹入的开放区域中增加。在允许蚀刻速率更加接近匹配的处理之后，在窄和宽沟槽/开放区域中的间隙填充氧化硅的密度变得更加相似。此效应也可被描述为图案加载作用降低。所述工艺涉及随后形成平面化氧化硅。平面化暴露更接近窄沟槽布置的新介电界面。新暴露的界面通过将平面化表面退火和/或暴露到等离子体来促进致密化处理。

公开(公告)号：CN103477422B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280018583.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·洪 ,  A·M·帕特尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/56

Abstract: 描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。

公开(公告)号：CN103688345A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035181.0

申请日：2012-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  X·陈 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274

Abstract: 描述一种形成介电层的方法。该方法首先通过自由基成分的化学气相沉积（CVD）沉积含硅氮与氢（聚硅氮烷）层。该含硅氮与氢层是通过将自由基前驱物（在远端等离子体中激发）与无激发的无碳的硅前驱物结合而形成。氧化硅覆盖层可由一部分的无碳的含硅氮与氢层形成，以避免底下的层在转换成氧化硅之前该层的性质随时间演变。或者，该氧化硅覆盖层形成于该含硅氮与氢层上。任一形成方法皆涉及在基材处理区域内形成本地等离子体。

公开(公告)号：CN103348456A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066739.7

申请日：2011-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·李 ,  J·梁 ,  X·陈 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/308 ,  C23C16/045 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56

Abstract: 描述形成氧化硅层的方法。这些方法包括同时地结合等离子体激发的（自由基）蒸汽与未激发的硅前驱物。可经由等离子体激发路线（例如，藉由将氨添加到蒸汽）和/或藉由选择含氮的未激发的硅前驱物来供应氮。这些方法导致含硅-氧-与-氮的层沉积在基板上。含硅-氧-与-氮的层的氧含量接着被增加，以形成可几乎不含有或不含有氮的氧化硅层。可藉由在含氧气氛的存在下将层予以退火而造成氧含量的增加，并且可藉由在惰性环境中将温度提升到甚至更高来进一步增加膜的密度。

公开(公告)号：CN103477422A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018583.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·洪 ,  A·M·帕特尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。

公开(公告)号：CN103038868A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037215.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·李 ,  J·梁 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 在此描述空洞体积比例降低的间隙填充氧化硅层的形成。该沉积涉及在缺少氧较可流动的间隙填充层之前形成富含氧较不可流动的衬垫层。然而，该衬垫层在与间隙填充层相同的腔室内沉积。衬垫层与间隙填充层二者可通过使自由基成份与未激发的含硅前体（即不直接通过施加等离子体功率而被激发）组合而形成。衬垫层比间隙填充层具更多的氧含量并且更加共形地沉积。间隙填充层的沉积速率可藉由衬垫层的存在而增加。间隙填充层可含有硅、氧与氮，并且该间隙填充层在高温下转化以含有更多氧与更少氮。间隙填充衬垫的存在提供了间隙填充层下方的氧源，以增大在转化期间引入的气相氧。

公开(公告)号：CN102498551A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040606.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/762 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76837

Abstract: 揭示了一种形成氧化硅层的方法。该方法可包含下列步骤：混合一种无碳的含硅与氮前驱物及自由基前驱物，并沉积一种含硅与氮层于基材上。接着将含硅与氮层转变为氧化硅层。