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公开(公告)号：CN105308211A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480032438.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565
Abstract: 在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔洞的长度或直径中的一项或多项与在所述板的中央区域中的孔洞的对应长度或对应直径不同。
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公开(公告)号：CN105189813A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025442.X
申请日：2014-04-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/56 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02675
Abstract: 本文中所述的实施例大致上涉及用于形成可用于薄膜晶体管器件的多层非晶硅结构的方法。在一个实施例中，方法包括：将包含缓冲层的基板定位在工艺腔室中，此工艺腔室包括处理区；形成多个非晶硅层；以及对这些非晶硅层退火以形成多晶硅层。形成这多个层包括：将含硅前体和第一活化气体输送至处理区以在缓冲层上形成第一非晶硅层，含硅前体和第一活化气体由等离子体活化；以及维持含硅前体的连续流动，同时在没有第一活化气体的情况下将第二活化气体输送至处理区，以便在第一硅层上沉积第二硅层。
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公开(公告)号：CN105940143B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201580006247.7
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。
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公开(公告)号：CN105940341A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006277.8
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/13
Abstract: 本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。
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公开(公告)号：CN105463409A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510891705.1
申请日：2011-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了改善气流的喷头支撑结构。本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105463409B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510891705.1
申请日：2011-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了改善气流的喷头支撑结构。本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
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公开(公告)号：CN102933743B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180026734.1
申请日：2011-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/205
CPC classification number: B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。
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公开(公告)号：CN101144154B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200710166935.7
申请日：2004-12-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本发明为等离子体制程室中用以分配气体的气体扩散板实例。该气体分配板包括一扩散板其具有一上游侧与一下游侧，及多个通过该扩散板上游侧与下游侧间的气体通道。该等气体通道包括中空阴极腔，其位于该下游侧，用以增强等离子体的游离。可由该扩散板中央往边缘逐步地增加该延伸至下游侧的气体通道的中空阴极腔的深度、直径、表面积及密度，以改善基板上该膜层的厚度与性质均一性。该由扩散板中央往边缘逐步增加的深度、直径、表面积及密度，可借由将扩散板弯曲朝向下游侧，接者将该下游侧的曲度磨平的方式来达成。该扩散板的弯曲也可以一热处理或一真空制程来达成。该由扩散板中央往边缘逐步增加的深度、直径、表面积及密度，也可借由电脑数字控制的磨制过程来达成。所示具有由扩散板中央往边缘逐步增加的中空阴极腔的深度、直径及表面积的该扩散板，可产生改良、均一的膜层厚度与膜层性质。
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公开(公告)号：CN110760823B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201910993702.7
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。
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公开(公告)号：CN105940341B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201580006277.8
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/13
Abstract: 本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。
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