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公开(公告)号：CN106449502A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610613168.9
申请日：2016-07-29
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/67718 , H01L21/6776 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L2221/683
摘要： 在一个实施例中，提供一种静电卡盘，并且所述静电卡盘包括：背衬基板；以及圆盘基板，所述圆盘基板设置在所述背衬基板上，所述圆盘基板包括由外围卡紧模块包围的多个中心卡紧模块，所述外围卡紧模块具有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极平行于彼此并基本上平行于所述圆盘基板的侧。
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公开(公告)号：CN103379945B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380000449.1
申请日：2013-03-19
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/042 , C23C16/042
摘要： 在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。
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公开(公告)号：CN102308675B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080007090.7
申请日：2010-02-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
摘要： 本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
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公开(公告)号：CN1778986B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN200510103894.8
申请日：2005-06-02
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/67201
摘要： 在特定的方面，提供了一种真空隔绝室，真空隔绝室包括具有至少一个封接面壁的主体，该封接面壁包括封接面。封接面壁具有与封接面相邻的、适于放入和取出基板的开口。主体进一步包括多个侧壁。真空隔绝室还包括与主体相连接的顶部。顶部包括一个或多个将顶部划分为第一部分和第二部分的开口。真空隔绝室进一步包括一个或多个适于覆盖顶部的每个开口的密封件。每个顶部密封件吸收顶部第一部分相对于顶部第二部分的运动。本发明还提供了许多其它方面。
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公开(公告)号：CN102859655A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180021614.2
申请日：2011-04-29
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
摘要： 本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。
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公开(公告)号：CN102859034A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020889.4
申请日：2011-04-29
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
摘要： 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
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公开(公告)号：CN101443474B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200780010242.7
申请日：2007-03-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/345 , C23C16/5096 , C23C16/52
摘要： 本发明的实施例大致上提供改善沉积在大面积基板上膜(特别是沉积在PECVD系统中的膜)的均匀性的方法与设备。在一个实施例中，等离子处理腔室被建构成相对于基板为非对称，以补偿腔室中被不希望磁场造成的等离子密度非均匀性。在另一实施例中，等离子处理腔室适用于建立中性电流分流路径，所述中性电流分流路径减少流动通过腔室中产生磁场的特征结构的电流。在另一实施例中，本发明提供一种在等离子处理腔室中大面积基板上沉积均匀膜的方法。通过建立中性电流分流路径，腔室被建构成在处理期间为电性对称，所述中性电流分流路径可以实质上减少通过腔室中产生磁场的特征结构的中性电流。
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公开(公告)号：CN102460649A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026164.1
申请日：2010-05-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
摘要： 本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。
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公开(公告)号：CN109390496B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811208804.5
申请日：2012-02-03
申请人： 应用材料公司
摘要： 提供用于封装设置于基板上的OLED结构的方法，所述方法使用柔软/聚合物掩模技术。与传统的硬掩模的图案化技术相比，所述柔软/聚合物掩模技术可有效地提供简单且低成本的OLED封装方法。所述柔软/聚合物掩模技术可使用单一聚合物掩模来低成本地完成整个封装工艺，且没有当使用常规金属掩模时所存在的对准问题。当并非使用柔软/聚合物掩模时，封装层可被毯覆沉积而后进行激光烧蚀，使得在封装工艺期间不使用掩模。
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