可控靶冷却
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1904131B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200610099294.3

    申请日:2006-07-27

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开了一种溅射靶组件(18,20),对于较大面板的等离子体溅射反应器特别有用。该反应器具有密封到主处理室(14)和真空泵吸室(32)两者的靶组件,真空泵吸室容纳移动的磁控管(30)。靶瓦接合到其的靶组件包括一体板(62),其具有平行于主表面钻出的平行冷却孔(64)。孔的端部可以被密封(74),且竖直延伸的槽(66、68、70、72)在每侧上布置为两个交错的群组,并成对地向下机械加工到在衬背板的相对侧上的各自的冷却孔对。四个歧管(104、106)密封到四个群组的槽,并提供了逆流的冷却剂路径。

    可控靶冷却
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1904131A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200610099294.3

    申请日:2006-07-27

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开了一种溅射靶组件(18,20),对于较大面板的等离子体溅射反应器特别有用。该反应器具有密封到主处理室(14)和真空泵吸室(32)两者的靶组件,真空泵吸室容纳移动的磁控管(30)。靶瓦接合到其的靶组件包括一体板(62),其具有平行于主表面钻出的平行冷却孔(64)。孔的端部可以被密封(74),且竖直延伸的槽(66、68、70、72)在每侧上布置为两个交错的群组,并成对地向下机械加工到在衬背板的相对侧上的各自的冷却孔对。四个歧管(104、106)密封到四个群组的槽,并提供了逆流的冷却剂路径。

    用于大面积基板处理系统的加载锁定腔室

    公开(公告)号:CN104392947A

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201410587106.6

    申请日:2009-08-27

    IPC分类号: H01L21/67

    CPC分类号: H01L21/67201 H01L21/67236

    摘要: 本发明一般包括用于将大面积基板传送进入真空处理腔室的加载锁定腔室。所述加载锁定腔室可以具有一或多个分隔开且环境隔离的环境。各个处理环境可以具有数个用以抽吸真空的排气端口。所述排气端口可以位于所述处理环境的角落。当基板自工厂界面而置入所述加载锁定腔室时,所述环境可能需要被排空。由于所述排气端口位于所述环境的所述角落,故可能存在的任何微粒或污染物会被抽吸至最接近的角落,而在不会被抽吸跨越所述基板的前提下,离开所述加载锁定腔室。因此,可降低基板的污染。

    衬底支撑的加热和冷却
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1907897B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN200610109513.1

    申请日:2006-08-02

    IPC分类号: C03C17/00

    CPC分类号: H01L21/67109

    摘要: 本发明提供了衬底支撑组件和用于控制处理室内的衬底温度的方法。该衬底支撑组件包括导热主体,其包含不锈钢材料;衬底支撑表面,其在导热主体的表面上并适用于在其上支撑大面积衬底;一个或多个加热元件,其嵌入在导热主体内;冷却板,其定位在导热主体之下;基体支撑结构,其包含不锈钢材料,定位在冷却板之下并适用于在结构上支撑导热主体;和一个或多个冷却通道,其适用于由基体支撑结构支撑并定位在冷却板与基体支撑结构之间。还提供了包含本发明的衬底支撑组件的处理室。

    可抽空的磁控管室
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1900353B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200610098884.4

    申请日:2006-07-19

    发明人: 稻川真

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种真空抽吸系统和与溅射反应器(50)相关的方法,溅射反应器(50)具有密封至靶(18)及其背板(20)的真空抽吸磁控管室(32)。主溅射室(14)真空密封至靶前部并被低温抽吸(26)。旁路管道(51)和阀门(54)连接磁控管室和主室。在旁路阀被关闭并且低温抽气泵被打开之前,连接至磁控管室的机械粗抽泵(34)通过旁路管道将主室抽吸至小于1托,并且之后,继续抽吸磁控管室以减小靶上的压差。只要压差超过例如20托的极限,例如当存在泄露或电气故障时,则跨过旁路阀连接的压差开关(58)立即打开旁路阀。旁路管道还用在通风过程中。

    具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接

    公开(公告)号:CN106206386A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610526075.2

    申请日:2009-11-09

    IPC分类号: H01L21/673 B23K15/00

    摘要: 本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中至少一个表面上具有高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸,腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成,而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起,所述位置在排空期间为最大应力处,以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层,以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。